HITACHI
HA-330
TECHNISCHE
OATEN
Ausgangsleistung
Sinusleistung (RMS)
(beide Kaniile)
Leistungsbandbreite
Frequenzgang
(AUX,
TAPE)
Klirrfaktor
40
W/K.
+
40
W/K.
(8 Ohm, 20 Hz -
20
kHz
und
0,3% Gesamt-
klirrfaktor)
50
W/K.
+ 50
W/K.
(8 Ohm, 1
kHz
und
0,3%
Gesamtkl
irrfaktorl
50 W/K. +
50
W/K.
(4 Ohm, 1 kHz
und
0,3%
G esamtk I
irrfak
tor)
10 Hz - 50
kHz
20
Hz - 20 kHz (±1 dB)
(bei
Nennleistung) Kleiner
als
0,3%
(bei halber Nennleistung) Kleiner
als
0,02%
lntermodulations-Verzerrung
(bei Nennleistung) Kleiner
als
0,3%
(bei halber Nennleistung) Kleiner
als
0,04%
Eingangsempfindlichkeit ( lmpedanz)
PHONO 2,0
mV
(45 kOhm)
AUX
120
mV
(50 kOhm)
T
APE-1 120
mV
(50 kOhm)
TAPE-2
(DIN)
120
mV
(50 kOhm)
Ausgangspegel
TAPE
OUT
DIN
OUT
120
mV
(PHONO,
AUX,
TUNER)
40
mV
(PHONO bei Nenn-
eingangsleistung)
CARACTERISTIQUES TECHNIQUES
Sortie
Puissance RMS
(deux canaux)
40
W/c. +
40
W/c.
(8 ohms,
20
Hz -
20
kHz,
D.H.T.
0,3%)
50
W/c. +
50
W/c.
(8
ohms,
1 kHz, D.H.T. 0,3%)
Sande
passante
en
pu issance
Courbe de
frequence
50
W/c. +
50
W/c. (4 ohms,
1 kHz, D.H.T.
0,3%)
10Hza50kHz
20
Hza
20
kHz
(±1
dB)
(AUX,
TAPE)
Distorsion harmonique
(a
la puissance nominale) Mains que 0,3%
(a
la
moitie
de
la
puissance nominale)
Mains que 0,02%
Distorsion
d'intermodulation
(a
la puissance nominale) Mains que 0,3%
(a
la
moitie
de
la
puissance nominale)
Mains que
0,04%
Sensibilite d'entree (Impedance)
PHONO 2,0
mV
(45 k-ohms)
AUX
120
mV
(50 k-ohms)
TAPE-1
120
mV
(50 k-ohms)
TAPE-2
(DIN)
120
mV
(50 k-ohms)
Niveau sortie
TAPE
OUT
DIN
OUT
120
mV
(PHONO,
AUX,
TUNER)
40
mV
(PHONO a l'entree
nominale)
-2-
Phonouberlastungspegel (bei 1 kHz, 0,3% Gesamtklirrfaktor)
150mV
Geriiuschspannungsabstand
(IHF,A-Netz)
PHONO
75dB
AUX,
TUNER,
TAPE
90
dB
Dampfungsfaktor
40
( 1 kHz, 8 Ohm)
Entzerrung R
IAA
±0,3 dB
Tiefeneinstellung
±8
dB (100 Hz)
Hoheneinstellung
±8
dB (10 kHz)
Gehorrichtige Lautstarkekontur
BestGckung
Netzspannung
Leistu ngsaufnahme
Abmessu
ngen
Gewicht
+ 6 dB (100 Hz)
+ 4
dB
(10 kHz)
1
IC,
24
T ransistoren u nd
18 Dioden
120 V -
60
Hz
oder
-120
V/220
V/240 V
50/60
Hz
160 W (bei
1/3
Nenn-
leistung)
260W
(bei Nennteistu ng)
390
(B) x 143
(H)
~
330
(T) mm
7,8
kg
Anderungen der
Konstruktion
und technischen
Oaten
bleiben im Sinne der stiindigen Verbesserung vorbehalten.
Niveau de surcharge
phono
(a 1
kHz,
D.H.T.
0,3%)
150
mV
Rapport signal/bruit
(IHF,reseau
Al
PHONO
75dB
AUX,
TUNER,
TAPE
90
dB
Facteur d'attenuation
40
(1
kHz,
8
ohms)
Compensateur R
IAA
±0,3
dB
Reglage de grave
±8
dB
(100 Hz)
Reglage d'aigu ±8
dB
(10 kHz)
Correction sonore physiologiqi.Je
Sem
iconducteu
rs
Alimentation
Consommation
Dimensions
Po
ids
+6
dB
(100 Hz),
+4
dB
(10 kHz)
1
Cl,
24
transistorset
18 diodes
CA
120 V
60
Hz
ou
~
120
V/220
V/24~
V
50/60
Hz
160
W (a 1
/3
pu issonce
nominale)
260
W (a
la
puissance
nominale)
390
(L)
x 143 (H)
~
330
(P)
mm
7,8
kg
Les
caracteristiques techniques
et
la
presentation
~eu
vent
etre modifiees
sans
preavis
pour
des raisons d'ameliGra-t:ion_
(
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