α
2
-
Steuerung
Verdrahtung 4
GER-27
GER
4.6.3 AL2-4EYT Transistor-Ausgangsverdrahtung (nur Source <gemeinsamer „+”-Pol>)
Abbildung 4.11: AL2-4EYT Transistor-Ausgangsverdrahtung
(nur Source <gemeinsamer „+”-Pol>)
*1 Belastbarkeit der Spannungsquelle
≥
Sicherungsstärke × 2
Abbildung 4.12: Beispielberechnung der Sicherungsstärke
Anmerkung:
Tabelle 4.13: Transistor-Ausgangsverdrahtung
Nr. Beschreibung
DC-Spannungsversorgung für Ausgänge, 24 V DC
NOT-AUS-Schalter
Schaltkreis-Schutzgerät (siehe Table 4.14)
Ausgangsklemmen
Ausgangsgeräte
DC-Spannungsversorgung für Ausgänge, 12 V DC
Tabelle 4.14: Schaltkreis-Schutz für Transistor-Ausgänge
Spannung Schaltkreisschutz (Sicherung)
5V DC <
0,3 A (Schaltkreis)
12V DC
<
2,0 A (Schaltkreis)
*1
24V DC
<
2,0 A (Schaltkreis)
*1
Tabelle 4.15: Hinweise zur Ausgangsklemme
Volt Hinweise zur Ausgangsklemme
5 Alle Ausgangsklemmen können in einem Schaltkreis verdrahtet werden.
12-24 Alle Ausgangsklemmen können in einem Schaltkreis verdrahtet werden.
5,12, 24 Für jeden der drei Spannungsbereiche muss ein separater Schaltkreis realisiert werden.
EO1 EO2 EO3 EO4
+
-
-+
Fuse
1A
12V, 8A
(8A
≥
1A
×
2
×
4)
Fuse
1A
Fuse
1A
Fuse
1A
O01
O02 O03 O04
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